직무 · 삼성전자 / 공정설계
Q. 삼성전자 사업부 관련 문의
안녕하세요 이번 상반기 졸업 예정인 석사 과정생입니다. 삼성전자 공정설계 직무에 관심이 있어서 이번에 지원을 할 예정인데, 사업부를 어디로 할지 고민입니다. 저는 차세대 메모리 반도체 관련 연구를 수행했고, 이 경험을 살려서 자소서를 작성 할 예정입니다. 특히 반도체 연구소 팀과 산학연계 프로젝트를 진행 중입니다. 그러나 이 기간이 그렇게 길지는 않고, 또한 반도체 연구소는 대부분 박사분들이 많아, 석사가 입사하기 힘들다는 이야기를 들었습니다. 이러한 상황에서 메모리 사업부를 선택하는 것이 저에게 더 유리한 선택인지, 아니면 과제를 같이 했던 반도체 사업부를 선택하는 것이 좋은 선택일지 궁금해서 현직자 분들에게 여쭤보고 싶습니다. 감사합니다.
2026.02.25
답변 8
- PPRO액티브현대트랜시스코상무 ∙ 채택률 100%
채택된 답변
먼저 채택한번 꼭 부탁드립니다!! 삼성전자 공정설계 직무라면 1차 기준은 “사업부 위상”이 아니라 “직무 적합도와 TO 매칭”입니다. 차세대 메모리 연구 경험이 있다면 삼성전자 메모리사업부 공정설계가 가장 자연스러운 선택입니다. 메모리 양산라인은 석사 비중도 높고, 연구 경험을 공정 조건 최적화·수율 개선과 연결하기 좋습니다. 반면 삼성전자 반도체연구소는 선행공정·플랫폼 개발 중심이라 박사 비율이 높은 편이고, 공정설계 TO도 상대적으로 제한적입니다. 산학 경험이 있다고 해도 기간이 짧다면 “연구소 네임”보다 실제 양산 적용 역량을 강조하는 편이 합격 확률 측면에서 현실적입니다. 연구 지향이 강하다면 연구소, 공정 최적화 커리어를 원한다면 메모리사업부가 전략적으로 유리합니다.
- MMemory Department삼성전자코전무 ∙ 채택률 82% ∙일치회사
채택된 답변
지원자님 상황이라면 차세대 메모리 반도체 연구 경험을 기반으로 자소서를 작성하실 예정이기 때문에, 결론적으로는 메모리사업부 공정설계를 1순위로 고려하시는 것이 현실적으로 더 유리한 선택입니다~! 공정설계 직무는 자신이 연구했던 디바이스 구조, 공정 조건, 특성 개선 경험을 실제 양산 공정과 연결할 수 있는지가 핵심인데, 메모리 관련 연구를 하셨다면 DRAM이나 NAND 공정설계 조직에서 바로 활용 가능한 배경으로 평가받을 가능성이 높기 때문입니다! 반도체연구소는 말씀하신 것처럼 석사 채용이 아예 없는 것은 아니지만, 비율상 박사 중심 채용이 많은 것이 사실입니다. 특히 선행 공정, 차세대 소자 구조 개발, 새로운 integration 개발 등의 업무는 장기 연구 경험과 논문 실적을 요구하는 경우가 많아서 석사는 상대적으로 양산 조직인 사업부 공정설계로 더 많이 배치되는 편입니다. 실제로 많은 석사 인력들이 메모리사업부나 파운드리사업부 공정설계로 입사한 후, 경력을 쌓고 나중에 연구소 협업이나 이동 기회를 얻기도 합니다. 또한 산학연계 프로젝트를 반도체연구소와 진행하셨다는 점은 매우 큰 장점입니다! 꼭 연구소에 직접 지원하지 않더라도, 메모리사업부 공정설계 지원 시에도 “차세대 메모리 구조 연구 경험과 연구소 협업 경험을 통해 양산 적용 가능성과 공정 변수 영향성을 이해했다”는 식으로 연결하시면 직무 적합성을 강하게 어필할 수 있습니다. 메모리사업부 공정설계는 실제로 연구소에서 개발한 기술을 양산 라인에 적용하고 공정 조건을 최적화하는 역할을 하기 때문에, 연구소 협업 경험은 오히려 매우 좋은 차별화 요소가 됩니다! 현실적인 전략으로는 메모리사업부 공정설계를 메인 타겟으로 지원하시고, 자소서에서는 차세대 메모리 연구 경험, 공정 변수-특성 간 상관관계 분석 경험, 연구소 협업 경험을 “양산 공정 최적화 역량”으로 연결해서 작성하시는 것이 가장 합격 가능성을 높이는 방향입니다. 연구소 경험이 있다고 해서 반드시 연구소만 지원해야 하는 것은 아니며, 오히려 사업부 공정설계에서 더 높은 합격 확률과 안정적인 커리어 시작이 가능한 경우가 많습니다! 지원자님의 연구 주제가 어떤 메모리 종류인지(DRAM, NAND, ReRAM, PCM 등)에 따라 더 유리한 사업부나 자소서 방향도 구체적으로 잡아드릴 수 있으니 알려주시면 맞춤으로 설명드리겠습니다~! 도움 이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!
댓글 1
삼삼전공설간다!작성자2026.02.25
자세한 설명 정말 감사드립니다. 제 연구 주제는 차세대 2T0C DRAM을 어플리케이션으로 하는 연구 입니다. 양산되고 있는 1T1C DRAM 메모리 관련 연구가 아닌 이러한 차세대 구조와 관련된 연구를 진행했더라도 메모리 사업부에 지원하는데 큰 불이익이 없을까요?
- 도도다리쑥국삼성전자코이사 ∙ 채택률 58% ∙일치회사
채택된 답변
메모리사업부가 입사에도, 입사 후 처우에도 나을겁니다
- 메메인멘토삼성전자코부사장 ∙ 채택률 85% ∙일치회사
채택된 답변
안녕하세요 메모리 사업부와 반도체 연구소 모두 좋은 선택이라고 생각합니다. 하지만, 반도체 연구소에 박사가 거의 대부분이지는 않습니다. 학사와 석사도 상당히 많은 편이므로 이에 대해서는 염려하지 않아도 됩니다
Top_TierHD현대건설기계코사장 ∙ 채택률 95%채택된 답변
석사의 경우에는 어떤 연구를 했는지가 산업군과 직무를 정할시에 가장 크리티컬한 부분이 됩니다. 멘티분이 하신 연구활동의 결과물의 수준이 낮거나 희망하는 산업군, 직무와 핏하지 않다면 불가능은 아니겠지만 취업에 상당한 어려움이 있을 것입니다.
프로답변러YTN코부사장 ∙ 채택률 86%채택된 답변
멘티님 연구 주제와 산학 프로젝트 경험이 연관된 반도체 연구소도 좋지만 석사 채용 규모를 고려하면 메모리 사업부가 현실적으로 합격에 더 유리한 선택일 수 있습니다. 차세대 메모리 연구 역량은 메모리 사업부 공정설계 직무에서도 충분히 높은 평가를 받을 수 있는 강점이니 이를 자소서에 적극 활용하여 지원하시길 바랍니다. 채택부탁드리며 파이팅입니다!
- 흰흰수염치킨삼성전자코전무 ∙ 채택률 58% ∙일치회사
채택된 답변
안녕하세요. 멘토 흰수염치킨입니다. 과제 같이 한 곳이 아무래도 낫죠 내용도 일치하고 어필하기에도 유리한거 같네요! 도움이 되었으면 좋겠네요. ^_^
- 탁탁기사삼성전자코사장 ∙ 채택률 78% ∙일치회사직무학교
채택된 답변
반연에 박사분들도많지만 학석도많아요 ㅎㅎ 60퍼이상은 학석이고.. 학석 3급 공채로 뽑을때 석사비율이 조금 높아보입니다. (아무래도 연구소다보니) .. 그래서 메공설도 가능하시고 반연 공설도 가능하신데 아무래도 연구소와 메모리개발실 pa 하는일은 유사해서.. 제품도 같고... 백본 형성 후 양산이관까지 하는 일이유사해서 성과금 측면에서 메모리로 지원하시는 것을 추천드립니다.
함께 읽은 질문
Q. 삼전 대학생 인턴 자소서 작성 관련 문의 드립니다.
현재 4-1학기를 수강중인 전자전기공학부 학생입니다. (DS 메모리 공정설계 지원 계획중입니다.) 이번 삼전 대학생 인턴 자소서를 작성하며 공정과 관련된 경험을 어필하려고 합니다. 현재 수업 중 TCAD sim을 사용하여 공정에 대한 시뮬레이션을 진행하는 과목을 수강중인데 이 점을 자소서에 기입해도 괜찮을까요? 인턴은 학기가 끝난 뒤에 진행되기 때문에 인턴으로서의 역량을 이번학기에도 함양하려 한다는 점을 말하고 싶습니다. (대학생 인턴이라는 점을 살리면서) 자소서를 쓰는 시점을 기준으로 완성되지 않은 경험을 작성하는 것이 서류나 추후 면접에서 불이익이 있을까요? 그냥 빼는게 나을까요? 조언 주시면 감사하겠습니다.
Q. 사업부 및 공정 관련 직무 고민
안녕하세요 이번에 졸업 예정인 석사 과정생입니다. 원래 삼성전자 메모리 공정설계 직무에 지원을 할 예정이었으나 이번에 채용을 하지 않아서, 어떤 사업부, 어떤 직무로 지원을 할지 고민입니다. 저는 차세대 메모리 반도체 관련 연구를 수행했고, 이 경험을 살려서 자소서를 작성 할 예정입니다. 특히 반도체 연구소 팀과 산학연계 프로젝트를 진행 중입니다. 1. 이러한 상황에서 메모리 사업부나 반연 공정기술 직무를 선택하는 것이 취업에 더 유리한 선택인지, 아니면 비록 연구 주제는 관련이 크게 없지만, 선호 직무가 같은 파운드리 공정설계를 선택하는 것이 좋은 선택일지 궁금합니다. 2. 공정 기술 직무는 무조건 교대 근무를 진행한다고 알고 있는데, 반도체 연구소에서도 교대 근무를 하는건지, 그리고 파운드리 공정 설계 직무의 일의 강도에 대해 알고 싶습니다. 3. 공정 기술 직무를 선택했을 때의 커리어에 대해 궁금합니다.(이직 또는 공정 설계 직무로 이동이 가능한지) 감사합니다.
Q. 반도체 문턱전압 산포 관련 질문 드립니다.
학부 때 2cm*2cm wafer를 통해 TFT를 만든 경험이 있습니다. Gate oxide로는 Al₂O₃를 사용했으며, sol-gel 공정을 기반으로 spin coating 방식으로 증착했습니다. 이때 웨이퍼 중심부에 위치한 소자들에 비해, edge(가장자리) 영역의 소자에서 문턱전압이 평균적으로 약 0.4 V 더 크게 측정되는 현상을 확인했습니다. 이에 대한 분석을 Gate Oxide가 spin coating 시에 웨이퍼 가장자리에서는 용액이 상대적으로 두껍게 쌓이는 edge bead 현상 때문이라고 분석했습니다. 이때 질문이 있습니다. 1. 먼저, 저의 분석이 타당한지가 궁금합니다. 2. 2 cm × 2 cm와 같은 소형 웨이퍼에서도 edge bead 현상이 유의미하게 발생하는지가 궁금합니다. 3.이러한 두께 비균일성이 문턱전압 약 0.4 V 수준의 차이를 유발했다고 보는 해석이 타당한지가 궁금합니다. 현직자분들께서 팩트 검증해주셨으면 좋겠습니다!
궁금증이 남았나요?
빠르게 질문하세요.

